Semiconduc相关论文
Effect of Chloride on Semiconducting Properties of Passive Films Formed on Supermartensitic Stainles
The effects of chloride ion on the electrochemical behavior and the semiconducting properties of the passive film on sup......
报道了一个三级主振荡功率放大(MOPA)结构的瓦级皮秒光纤激光器。第一级利用半导体可饱和吸收镜(SESAM)和光纤光栅组成线性腔,构建了一......
对XPM波长转换器的转换信号及消光比特性进行了详细分析.讨论了偏置电流对转换波形的影响,以及偏置电流和转换速率对转换后信号消......
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以氯化铋、碲粉、氯化镧或氧化镧为原料,采用180℃溶剂热合成和400℃、50 MPa、1 h热压技术制备了含稀土的新型Bi2Te3基热电材料.T......
集成电路的可靠性和成品率是制约半导体制造发展的两个主要因素.如何表征可靠性和成品率之间的关系是一个非常重要的问题.本文利用......
综述了半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的理论,分析总结了相关实验技术手段,对SESAM锁模OP-VECSELs......
目前的低温生物显微镜多为技术含量高的大型系统,目前还不能普及用于学生的实验教学.我们利用半导体制冷片体积小、制冷迅速、价格......
国内外学者对铟锡氧化物膜的各种工艺参数进行了过广泛的研究,然而对低温退火提高ITO膜的透光性还未见报道。文章在研究了低温退火工艺......
鉴于纳米二氧化钛半导体材料在医学、环保领域对细菌、病毒等微生物长效、安全、无残留的成功抑制,本试验探讨纳米二氧化钛半导体......
采用化学水浴沉积方法制备纯ZnS、CdS及Cu或Ag掺杂ZnS、CdS纳米颗粒,整个过程没有使用任何覆盖剂和有毒化学试剂。该制备方法是一......
摘要:曝光时间是诊断X射线的重要参数之一,根据半导体探测器体积小、灵敏度高及响应快等特点,研制一种用于非介入式测量曝光时间等参......
以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4·Nb(C2H5O)5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3(SNTO)膜的制备,溶胶薄膜经过575℃......
量子点敏化太阳能电池因制备简易,生产成本低且理论光电转换效率高而受到广泛关注,至今效率已突破11%。光阳极作为其中重要的组成......
本文详细讨论了InSb磁敏电阻器的导电机理,在文献(1),(2)的基础上,提出了提高它的灵敏度的途径,本文首次研究了InSb磁敏电阻器的可靠性,通过可靠性寿命......
本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应,并进行了X线衍射分析和电子能谱分析。发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低......
采用渐变应变有源区结构,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器,工作电流在60-160mA范围内,其3dB带宽范围不小于35nm,偏振不灵敏度小于0.35d......
有准急压冷法制成Fe2o3-SrO-TeO2系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为(以摩尔计)0≤fe2O3≤23%;0≤SrO≤18%;75%≤TeO2〈100%。通过Seebeck系数的测定确认Fe2o3-SrO-TeO2系玻璃为n型......
采用溶剂热法合成了具有不同晶粒尺寸的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰的CdS纳米晶,并运用XRD,N2物理吸附,TEM,IR,UV-Vis等手段进行表征。......
介绍了合肥光源基于束流准直系统的研制,该系统利用可开关的电阻分流法构成,并采用固态继电器进行四极铁分流控制.利用该系统可以......
研究了能量为6~12MeV、平均束功率为4.2kW的工业辐照用电子直线加速器的应用。结果表明,它在对改装半导体器件(二极管、三极管、可控硅)参数特性,大......
本文介绍了L4970系列新型PWM式开关稳压电源芯片,给出了其应用场合、主要的性能特点、封装、管脚功能以及关键外围元件参数选择等,重点介绍了......
氧化石墨(GO)插层纳米复合材料是一种新型的纳米复合材料。介绍了氧化石墨的结构、制备方法和性质;重点论述了聚合物/氧化石墨插层纳......
The efficiency of using tapioca starch as a natural coagulant on semiconductor wastewater treatment was investigated. Th......
GaN rods were deposited by chemical vapor deposition (CVD) onto sapphire (0 0 0 1) and amorphous quartz. The reactive Ga......
Bi1-xSbx半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技......
利用原子力显微镜首次观察到200℃磁控溅射铝硅合金表面存在纳米颗粒,经测量,此纳米颗粒直径约20nm、高1nm。根据此纳米颗粒的分布,讨论了磁控溅......
分析集成硅上液品(LCoS)微型显示器的两门先进技术。即半导体技术和LCD技术的发展历史。认为LCoS是集半导体技术和LCD技术而成的高......